La tecnología de metalización del sustrato de nitruro de silicio es una tecnología avanzada, su tecnología principal es lograr con precisión la unión sólida de capas metálicas en la superficie del sustrato cerámico de nitruro de silicio. Mediante esta tecnología, el sustrato cerámico queda dotado de propiedades metálicas como conductividad eléctrica y térmica, lo que amplía enormemente su rango de aplicación.
En el campo del embalaje electrónico, la aplicación de la tecnología de metalización de sustrato cerámico de nitruro de silicio mejora significativamente la fiabilidad de las estructuras del embalaje y reduce el riesgo de fallo causado por el estrés térmico durante el funcionamiento de los equipos electrónicos. En el campo de los circuitos integrados, la tecnología mejora efectivamente el rendimiento de la conexión entre el chip y el sustrato y proporciona un fuerte apoyo para mejorar el rendimiento y la estabilidad de los circuitos integrados. En el campo de los dispositivos de microondas, la tecnología de metalización de sustrato cerámico de nitruro de silicio garantiza el funcionamiento confiable de los dispositivos de microondas a alta potencia y alta frecuencia con su excelente conductividad térmica y estabilidad.
Método técnico para metalizar sustrato cerámico de nitruro de silicio.
El método de co-disparo es un método para incrustar componentes pasivos, como líneas de señal y microcables, en el sustrato mediante el uso de tecnología de película gruesa. Este método se divide principalmente en dos tipos de cocción conjunta a alta temperatura y cocción conjunta a baja temperatura, el flujo del proceso es básicamente el mismo, pero la temperatura de sinterización es diferente. La ventaja del método de co-combustión es que puede cumplir con muchos requisitos de los circuitos integrados, pero puede haber algunos problemas, como una alineación gráfica inexacta en el proceso de laminación.
El método de película delgada es un método para combinar el material de la película y la superficie cerámica mediante métodos de recubrimiento al vacío, como evaporación al vacío, revestimiento iónico y recubrimiento por pulverización catódica. En el proceso de metalización, es necesario asegurar que el coeficiente de expansión térmica de la película metálica y el sustrato cerámico sea consistente para mejorar la adhesión. Las ventajas del método de película delgada son la capa metálica homogénea y la alta fuerza de unión.
Factores clave en el proceso de metalización del sustrato cerámico de nitruro de silicio.
En el proceso de metalización, el control preciso de la temperatura es sin duda una parte crucial. La calidad de la unión y las propiedades de la capa metálica y el sustrato cerámico se ven directamente afectadas por las fluctuaciones de temperatura. Una temperatura excesiva puede provocar una fusión excesiva de la capa metálica, reducir su estabilidad estructural e incluso provocar daños térmicos en el sustrato cerámico. Sin embargo, una temperatura demasiado baja puede provocar una unión insuficiente entre la capa metálica y el sustrato cerámico, lo que afectará su rendimiento general.
La elección de la soldadura también influye decisivamente en la calidad de la metalización. La composición de la soldadura debe ser rica en elementos activos para asegurar una unión sólida con el sustrato cerámico durante el proceso de sinterización. La humectabilidad de la soldadura también es un índice importante para evaluar su desempeño. Una buena humectabilidad ayuda a que la soldadura forme una distribución uniforme entre la capa de metal y el sustrato cerámico, mejorando así el efecto de la metalización. En el proceso de metalización del sustrato cerámico de nitruro de silicio, los metales comúnmente utilizados incluyen cobre, plata, etc. Estos metales deben tener buena conductividad eléctrica, conductividad térmica y resistencia a la corrosión para garantizar que el sustrato metalizado tenga un buen rendimiento.
El control de la presión en el proceso de metalización también es un factor que no se puede ignorar. En el proceso de soldadura, la presión adecuada contribuye a la estrecha unión entre la capa metálica y el sustrato cerámico y mejora la fuerza de la unión. Sin embargo, una presión excesiva puede provocar la fractura o deformación del sustrato cerámico, por lo que se requiere un control preciso de la presión de soldadura.
Con el rápido desarrollo de la tecnología electrónica, la tecnología de metalización del sustrato cerámico de nitruro de silicio también está mejorando. En la actualidad, la tecnología ha logrado lograr una alta calidad de metalización, haciendo que el sustrato cerámico mantenga su excelente rendimiento original con buena conductividad eléctrica y térmica del metal. En el futuro, con la continua profundización de la investigación y la continua innovación de la tecnología, la tecnología de metalización de sustrato cerámico de nitruro de silicio desempeñará un papel más crítico en la fabricación de equipos electrónicos y hará mayores contribuciones para mejorar el rendimiento, la estabilidad y la confiabilidad de los equipos.
