Sustrato cerámico de carburo de silicio Sustrato de SiC

El sustrato es el material básico del chip semiconductor, que se puede dividir en tipo conductor y tipo semiaislante según la resistividad. Los dispositivos semiconductores fabricados con sustrato de carburo de silicio pueden cumplir mejor con los requisitos de aplicación de alta temperatura, alto voltaje y gran potencia, la forma es generalmente redonda y el diámetro suele ser de 2 pulgadas (50 mm), 3 pulgadas (75 mm), 4 pulgadas (100 mm). ), 6 pulgadas (150 mm), 8 pulgadas (200 mm) y otras especificaciones.

Marca:
ATCERA
Artículo N.º:
AT-SIC-CD001

Materiales
SiC
formas
Substrate
Aplicaciones
Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry

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Propiedades del sustrato cerámico de carburo de silicio

El sustrato de carburo de silicio tiene buena disipación de calor, alta conductividad eléctrica, alta intensidad de campo eléctrico de ruptura, gran brecha de energía, buena resistencia a la corrosión, puede cumplir con los requisitos de componentes de alta potencia, baja pérdida y alta frecuencia, y puede mantenerse a largo plazo. Rendimiento estable en entornos hostiles.

1. Buena estabilidad a altas temperaturas

El sustrato de SiC tiene buena estabilidad a altas temperaturas, y la deformación de la red generada por el sustrato de carburo de silicio es pequeña en el entorno de trabajo a alta temperatura, y no es fácil que aparezca una deformación por expansión o una expansión térmica fuera de control.

2. Alta estabilidad química

El sustrato de carburo de silicio tiene una excelente resistencia a la corrosión y puede resistir la corrosión en ambientes ácidos y alcalinos. Su estabilidad química es buena, no hay problemas de corrosión durante el uso prolongado.

3. Excelentes propiedades mecánicas

El sustrato de SiC tiene una excelente resistencia mecánica y dureza, puede soportar grandes presiones y fuerzas de torsión, y la resistencia al desgaste es buena. Mientras tanto, su módulo elástico es grande, el módulo de Young es alto, no es fácil de deformar o pegar entre sí.

Aplicaciones del sustrato de SiC

El sustrato de carburo de silicio es el material básico de los chips semiconductores; en comparación con el sustrato de silicio, puede satisfacer mejor las necesidades de alta temperatura, alto voltaje, alta frecuencia y gran potencia, y se usa ampliamente en vehículos eléctricos y generación de energía fotovoltaica. , tránsito ferroviario, centros de datos, pilas de carga y otros productos y equipos.

1. Dispositivos de alta potencia (tipo conductor): el sustrato de carburo de silicio tiene alta conductividad térmica, alta intensidad de campo eléctrico de ruptura, baja pérdida de energía, adecuado para la producción de dispositivos de alta potencia, como módulos de potencia, módulos de accionamiento, etc.

2. Dispositivos electrónicos de radiofrecuencia (tipo semiaislado): el sustrato de carburo de silicio tiene alta conductividad, puede satisfacer las necesidades del trabajo de alta frecuencia, adecuado para amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia;

3. Dispositivos fotoelectrónicos (tipo semiaislado): el sustrato de carburo de silicio tiene una amplia brecha energética y una alta estabilidad térmica, adecuado para la producción de fotodiodos, células solares y diodos láser y otros dispositivos;

4. Sensor de temperatura (tipo conductor): el sustrato de carburo de silicio tiene una alta conductividad y estabilidad térmica, adecuado para la producción de un amplio rango de trabajo y un sensor de temperatura de alta precisión.

Tabla de tallas para sustrato cerámico de carburo de silicio

Estamos comprometidos a ofrecer un sustrato de SiC óptimo adaptado a sus especificaciones exactas. Nuestro equipo dedicado garantiza un cumplimiento meticuloso de sus instrucciones y se esfuerza por superar las expectativas del cliente. Además, ofrecemos la flexibilidad de tamaños personalizados para adaptarnos a sus requisitos únicos.

Se proporcionará información sobre el tamaño y los parámetros del material si se solicita un diseño personalizado.

Enviar requisitos para diseño personalizado

Tolerancia de mecanizado:

1. Diámetro: ±0,25 mm

2. Espesor: ±25μm

3. Orientación del cristal: <001> ±0,5°

4. Orientación de la cara del cristal: ±0,5°

5. Orientación del borde: ≤2°

Otro parámetro, comuníquese con ATCERA.

Drawing of SiC Substrate Square

Cuadrado de sustrato de SiC
Nº de artículo	Largo×An (mm)	Espesor (mm)
AT-SIC-CD001	10*3	0,5/1,0
AT-SIC-CD002	10*5	0,5/1,0
AT-SIC-CD003	10*10	0,5/1,0
AT-SIC-CD004	15*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD005	20*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD006	20*20	0,5/1,0

Drawing of SiC Substrate Round

Ronda de sustrato de SiC
Nº de artículo	Diámetro (pulgadas)	Espesor (mm)
AT-SIC-CD101	2	2
AT-SIC-CD102	3	3
AT-SIC-CD103	4	4
AT-SIC-CD104	6	2
AT-SIC-CD105	8	3

Datos técnicos de Silicio Carburo Materiales

Artículo		Unidad	Datos de índice
Artículo		Unidad	SiC sinterizado por reacción (SiSiC)	Nitruro de silicio unido con SiC (NBSiC)	SiCn sinterizado sin presión (SSiC)
Contenido de SiC		%	85	80	99
Contenido de silicio gratuito		%	15	0	0
Máx. Temperatura de servicio.		â	1380	1550	1600
Densidad		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosidad		%	0	12	0
Resistencia a la flexión	20â	Mpa	250	160	380
Resistencia a la flexión	1200°C	Mpa	280	180	400
Módulo de elasticidad	20â	Gpa	330	220	420
Módulo de elasticidad	1200°C	Gpa	300	/	/
Conductividad térmica	1200°C	W/m.k	45	15	74
Coeficiente de expansión térmica		K-1×10-6	4.5	5	4.1
Dureza Vickers	HV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Este cuadro ilustra las características estándar de los materiales de carburo de silicio comúnmente empleados en la fabricación de nuestros productos y piezas de SiC. Tenga en cuenta que los atributos de los productos y piezas de carburo de silicio personalizados pueden variar según los procesos específicos involucrados.

Métodos limpios

1. Agente de limpieza alcalino: el agente de limpieza alcalino puede eliminar contaminantes orgánicos y algunas impurezas inorgánicas en la superficie del carburo de silicio; el usuario puede elegir un agente de limpieza alcalino con hidróxido de sodio y tensioactivo. Al limpiar, el sustrato de carburo de silicio se empapa en la solución de limpieza, luego se agita con ondas ultrasónicas y finalmente se enjuaga con agua desionizada.

2. Agente de limpieza ácido: el agente de limpieza ácido puede eliminar iones metálicos y algunos contaminantes inorgánicos en la superficie del carburo de silicio, el uso de agente de limpieza ácido que contiene ácido fluorhídrico y ácido nítrico. Al limpiar, el sustrato de carburo de silicio se empapa en la solución de limpieza, luego se agita con ondas ultrasónicas y finalmente se enjuaga con agua desionizada.

3. Limpieza con plasma de oxígeno: la limpieza con plasma de oxígeno es un método de limpieza física que elimina los contaminantes orgánicos e inorgánicos de la superficie del carburo de silicio mediante la reacción química del plasma de oxígeno. Durante la limpieza, el sustrato de carburo de silicio se coloca en la máquina de limpieza por plasma, se inyecta oxígeno, se genera plasma y luego se limpia.

Información valiosa

Embalaje de sustrato de SiC

Los sustratos de SiC se empaquetan cuidadosamente en contenedores adecuados para evitar posibles daños.

Ventajas de personalización

1. Según el escenario de su aplicación, analice las necesidades, elija el material y el plan de procesamiento adecuados.

2. Equipo profesional, respuesta rápida, puede proporcionar soluciones y cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la confirmación de la demanda.

3. Mecanismo de cooperación empresarial flexible, admite al menos una pieza de personalización de cantidad.

4. Proporcione rápidamente muestras e informes de prueba para confirmar que el producto satisface sus necesidades.

5. Proporcione sugerencias de uso y mantenimiento del producto para reducir el costo de uso.

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