En el proceso de fabricación del sustrato de SiC (carburo de silicio), el corte del lingote de SiC es un paso crucial. No sólo determina directamente la calidad de la superficie y la precisión dimensional del sustrato, sino que también influye decisivamente en el control de costes. Los parámetros clave determinados por el proceso de corte, como la rugosidad de la superficie (Ra), la desviación del espesor total (TTV), la deformación (BOW) y la flexión (WARP), tienen un profundo impacto en la calidad final, el rendimiento y el costo de producción del sustrato. . Además, la calidad del corte también está directamente relacionada con la eficiencia y el coste de los procesos posteriores de esmerilado y pulido. Por lo tanto, el desarrollo y progreso de la tecnología de corte de lingotes de SiC es de gran importancia para mejorar el nivel de toda la industria de fabricación de sustratos de carburo de silicio.
Hoja de sierra de diamante, hoja de sierra circular, eliminación, gran diferencia de Ra, gran deformación, hendidura ancha, velocidad lenta, baja precisión, ruido fuerte
Chispa eléctrica: cable + corriente, eliminada, hendidura ancha, espesor de capa de quemado de superficie grande
Línea de mortero: alambre de acero inoxidable recubierto de cobre + mortero, oblea delgada, alto rendimiento, baja pérdida, velocidad lenta y baja precisión, contaminación, baja vida útil de la sierra de alambre
Alambre de diamante: abrasivo consolidado + alambre de diamante, alta eficiencia, hendidura estrecha, protección ambiental, capa de daño profundo, desgaste rápido de la línea, deformación del sustrato
Primero, el status quo de la tecnología de corte de lingotes de SiC
Con el avance de la ciencia y la tecnología, la tecnología de corte de lingotes de SiC ha logrado avances notables. En la actualidad, la tecnología de corte convencional incluye principalmente corte con alambre de mortero, corte con alambre de diamante y tecnología de pelado por láser. Estas tecnologías difieren en la eficiencia de corte, la calidad de la superficie, el costo, etc., lo que brinda una variedad de opciones para la fabricación de sustratos de SiC.
En segundo lugar, el análisis de las principales características de la tecnología de corte
1. Corte con alambre de mortero: Como tecnología de corte tradicional, el corte con alambre de mortero corta el lingote de SiC a través de la línea que contiene abrasivo y mortero. Aunque este método es de bajo costo y fácil de aplicar en la producción en masa, es lento de cortar y puede dejar una capa profundamente dañada en la superficie del sustrato, lo que afecta la eficiencia del procesamiento posterior y la calidad del sustrato.
2. Corte con hilo de diamante: la tecnología de corte con hilo de diamante utiliza partículas de diamante como abrasivos para cortar lingotes de SiC a través de líneas giratorias de alta velocidad. Este método no solo tiene una velocidad de corte rápida, sino también una capa de daño superficial poco profunda, lo que ayuda a mejorar la calidad y el rendimiento del sustrato. Por lo tanto, la tecnología de corte con hilo de diamante se utiliza gradualmente en el campo de la fabricación de sustratos de SiC.
3. Tecnología de decapado por láser: la tecnología de decapado por láser es un método de corte emergente que utiliza el efecto térmico del rayo láser para separar el lingote de SiC. Esta tecnología puede proporcionar cortes muy precisos, reduciendo significativamente el daño al sustrato y mejorando así la calidad del sustrato. Sin embargo, debido al costo relativamente alto en la actualidad, la tecnología de decapado por láser se utiliza principalmente en campos de alta gama.
En tercer lugar, el impacto de la tecnología de corte en la calidad del sustrato y los procesos posteriores
La elección de la tecnología de corte no solo afecta la calidad directa del sustrato de SiC, sino que también tiene un impacto importante en su procesamiento posterior. La tecnología de corte de alta calidad puede reducir el daño a la superficie del sustrato, reducir la dificultad y el costo del esmerilado y pulido, mejorando así la eficiencia y eficacia de todo el proceso de producción. Por lo tanto, en el proceso de fabricación del sustrato de SiC, es muy importante elegir la tecnología de corte adecuada.
En resumen, el desarrollo y progreso de la tecnología de corte de lingotes de SiC es de gran importancia para mejorar la calidad, la eficiencia y el control de costos del sustrato de SiC. Con el progreso continuo de la ciencia y la tecnología y la intensificación de la competencia en el mercado, la futura tecnología de corte de lingotes de SiC se desarrollará hacia una dirección más eficiente, más precisa y más económica. Al mismo tiempo, con el rápido desarrollo de nuevas energías, semiconductores y otros campos, la demanda del mercado de sustratos de SiC seguirá creciendo, proporcionando un amplio espacio y oportunidades para el desarrollo de la tecnología de corte de lingotes de SiC.
